时间：2025/9/1 16:43:11
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H9TKNNNBPDMPQR-NGM 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能低功耗DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于LPDDR4X（Low Power Double Data Rate 4X）内存技术范畴。这款内存芯片专为移动设备和高性能计算应用设计，提供高速数据传输速率和能效优化。
容量：8GB（64Gb）
类型：LPDDR4X SDRAM
电压：1.1V（IO电压）/0.5V（核心电压）
封装类型：FBGA
封装尺寸：133-ball
工作温度：-40°C至85°C
数据速率：4266Mbps
接口：x16
H9TKNNNBPDMPQR-NGM具备多项先进的技术特性，确保其在复杂应用环境中的稳定性与高效性。首先，LPDDR4X标准相较于前代LPDDR4，提供了更高的数据传输速率和更低的功耗，适合高性能移动设备和嵌入式系统。其次，该芯片采用了先进的封装技术（133-ball FBGA），在保证高性能的同时，减小了物理尺寸，非常适合空间受限的设备应用。
此外，H9TKNNNBPDMPQR-NGM还支持多银行（Multi-bank）架构，可提高内存访问效率，降低延迟。其内部设计支持自动刷新和温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh，TCSR）功能，有助于在不同环境温度下保持数据完整性并减少功耗。该芯片还具备低功耗模式，能够在设备闲置时显著降低能耗，从而延长电池续航时间。
H9TKNNNBPDMPQR-NGM广泛应用于需要高带宽和低功耗内存解决方案的设备，例如高端智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、嵌入式系统、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备和网络设备。其卓越的性能使其在需要大量数据处理能力的应用场景中表现出色，如人工智能（AI）、机器学习（ML）、高性能图形渲染等。
H9HKNNNDBPMVQR-NAA, H9HKNNNDBPMVQR-NEE, H9HKNNNDCPMVQR-NEE
