FN03N5R6C500PLG是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件适用于多种功率转换和电机驱动应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高效率并减少系统功耗。
这款MOSFET采用TO-220封装形式,适合高电流和高电压的应用场景,广泛应用于工业、消费电子以及汽车领域。
型号:FN03N5R6C500PLG
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vdss):50V
最大栅极源极电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):94A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装:TO-220
FN03N5R6C500PLG的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下提供高效的性能表现。
2. 快速开关能力,有助于降低开关损耗,提升整体系统效率。
3. 高雪崩能量承受能力,增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,满足环保要求。
5. 可靠性高,适合长时间运行的工业级应用场景。
6. 支持表面贴装工艺,简化生产流程并提升制造良率。
该器件适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统的负载切换与保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED照明驱动电路中的电流调节部件。
6. 充电器及适配器中的高效功率转换解决方案。
IRLZ44N
FDP5800
STP55NF06L