时间：2025/9/2 4:00:31
阅读：10
H9CCNNNBJTMLAR-NUD 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其移动存储解决方案的一部分。该型号为LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）规格，专为移动设备和嵌入式系统设计，以提供更高的带宽和更低的功耗。这款内存芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对功耗和空间要求较高的便携式电子产品。
类型：LPDDR4 SDRAM
容量：4GB
电压：1.1V
频率：3200Mbps
封装形式：FBGA
引脚数：134
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据总线宽度：16位
H9CCNNNBJTMLAR-NUD 的主要特性之一是其低电压运行能力，工作电压为1.1V，显著降低了功耗，非常适合用于电池供电设备。其3200Mbps的数据传输速率确保了高效的数据处理能力，能够满足现代移动设备对高速内存的需求。该芯片采用了先进的DRAM技术，提高了数据稳定性和传输可靠性。此外，H9CCNNNBJTMLAR-NUD 具有紧凑的FBGA封装形式，占用空间小，便于在有限的空间内进行高密度的系统设计。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）也使其能够在各种环境条件下稳定运行，增强了设备的适应性和耐用性。另外，该芯片的设计符合JEDEC标准，确保了与其他系统的兼容性。
H9CCNNNBJTMLAR-NUD 主要用于需要高性能和低功耗的移动设备，例如高端智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备。此外，该芯片也适用于需要高带宽内存的嵌入式系统，如车载信息娱乐系统、工业控制设备和物联网（IoT）设备。在这些应用中，它能够提供快速的数据访问速度，从而提升整体系统性能，同时保持较低的能耗，延长设备的电池续航时间。由于其高可靠性和宽温度范围，该芯片也适合在苛刻的环境条件下运行，例如工业自动化和户外电子设备。
H9CCNNNBJTMLAR-NUD的替代型号包括H9HCNNNBJTMLAR-NUD、H9HCNNNBJUMAAR-NUD以及美光（Micron）和三星（Samsung）的LPDDR4系列存储芯片，如MT53B512M32A2B4-046和K3UH70BMEA-CGCF。
