型号：FN03B331K250PLG
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：330V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：250mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　总功耗（Ptot）：140W
　　结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PLG

FN03B331K250PLG 具有以下主要特性：
　　1. 高耐压能力：其最大漏源电压高达 330V，适用于高压环境下的开关应用。
　　2. 低导通电阻：250mΩ 的典型导通电阻降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　3. 快速开关性能：该器件具备快速的开关速度，能够减少开关损耗，特别适合高频应用。
　　4. 良好的热性能：优化的封装设计提供了出色的散热能力，有助于延长器件的使用寿命。
　　5. 高可靠性：通过严格的测试和筛选，确保了 FN03B331K250PLG 在各种恶劣环境下的稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准：环保无铅设计，满足国际环保要求。

FN03B331K250PLG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：包括 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等，提供高效稳定的电力供应。
　　2. 电机驱动：用于家用电器、工业设备中的电机控制，实现精确的速度和扭矩调节。
　　3. 工业控制：如变频器、伺服驱动器等，提升工业自动化的性能和效率。
　　4. 照明系统：支持 LED 驱动器的设计，提供高亮度、低功耗的照明解决方案。
　　5. 电池管理系统（BMS）：保护电池组免受过充、过放和短路等异常情况的影响。

IRFP460, STP18NF50, FQP19N30