FN03B331K250PLG 是一款高性能的 N 治安功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,能够显著提高系统效率并降低功耗。
这款 MOSFET 的封装形式为 PLG(Power Leadframe Package),适合表面贴装技术(SMT),可有效提升生产自动化性能。
型号:FN03B331K250PLG
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):330V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):250mΩ(在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot):140W
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:PLG
FN03B331K250PLG 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:其最大漏源电压高达 330V,适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻:250mΩ 的典型导通电阻降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。
3. 快速开关性能:该器件具备快速的开关速度,能够减少开关损耗,特别适合高频应用。
4. 良好的热性能:优化的封装设计提供了出色的散热能力,有助于延长器件的使用寿命。
5. 高可靠性:通过严格的测试和筛选,确保了 FN03B331K250PLG 在各种恶劣环境下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准:环保无铅设计,满足国际环保要求。
FN03B331K250PLG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等,提供高效稳定的电力供应。
2. 电机驱动:用于家用电器、工业设备中的电机控制,实现精确的速度和扭矩调节。
3. 工业控制:如变频器、伺服驱动器等,提升工业自动化的性能和效率。
4. 照明系统:支持 LED 驱动器的设计,提供高亮度、低功耗的照明解决方案。
5. 电池管理系统(BMS):保护电池组免受过充、过放和短路等异常情况的影响。
IRFP460, STP18NF50, FQP19N30