FMX4202S 时间：2025/12/29 14:49:35 阅读：11

FMX4202S 是一款由 Fujitsu（富士通）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理及功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等优点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等电路中。其封装形式通常为 SuperSOT-6 或类似的小型表面贴装封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id：4.9A（@25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：28mΩ（@Vgs=4.5V）
　　最大功耗：1.4W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SuperSOT-6

特性

FMX4202S 功率 MOSFET 的核心优势在于其出色的导通性能与快速开关特性。该器件的低导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率。其 20V 的漏源电压额定值使其适用于低压高电流的应用场景，例如电池供电设备、便携式电子产品以及 DC-DC 转换器等。此外，FMX4202S 还具备良好的热稳定性和抗过载能力，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 12V 驱动，兼容多种控制 IC 和逻辑电平驱动器。在开关性能方面，FMX4202S 具有较低的输入电容和开关损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、负载开关和马达控制。此外，其小型封装设计不仅节省空间，还提高了 PCB 的布局灵活性。
　　从制造工艺来看，FMX4202S 采用先进的硅工艺和封装技术，具有优异的可靠性和稳定性。其工作温度范围广泛，支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工业级工作环境，适用于各种严苛的工作条件。

应用

FMX4202S 主要应用于低压功率开关电路中，例如便携式电子设备的电源管理模块、DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电池保护电路、马达驱动器以及各种低电压高效率电源系统。由于其低导通电阻和高频率响应特性，特别适合用于需要高效率和小尺寸设计的场合，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、工业控制系统和汽车电子系统等。此外，该器件还可用于电源管理系统中的同步整流电路，以提升整体电源转换效率。