时间：2025/8/9 5:37:33
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FMW60N043S2FDHF 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计和制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流容量和优异的热性能，适用于诸如DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电源管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：150A
漏极功耗(PD)：130W
导通电阻(RDS(on))：4.3mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
FMW60N043S2FDHF 功率MOSFET 具有以下主要特性：
首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在10V栅极驱动电压下，RDS(on)仅为4.3mΩ，这对于大电流应用尤其重要。
其次，该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达150A，使其适用于高功率密度的设计。
此外，FMW60N043S2FDHF 采用热增强型封装技术，有效提高了散热能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，使得开关损耗降低，适用于高频开关应用。
最后，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于各种严苛环境，包括汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
该器件广泛应用于多种高功率和高效率电子系统中。在DC-DC转换器中，FMW60N043S2FDHF 用于同步整流电路，提高转换效率并减少发热；在电源管理系统中，它可用作负载开关或功率分配元件；在电机控制和电池管理系统中，该MOSFET能够提供稳定的高电流开关性能；此外，该器件还适用于服务器电源、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。其优异的热特性和高可靠性使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。
SiR142DP, FDS6680, IRF6717, FDBL0150N06A0A0, FDMF6811S
