时间：2025/8/9 12:29:02
阅读：14
FMW35N60S1FDHF是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的高功率N沟道MOSFET功率晶体管。该器件专为高电压、高电流应用而设计，适用于如电源转换器、电机驱动器、开关电源（SMPS）和逆变器等应用场景。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合用于需要高效能和高可靠性的系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：35A
漏极-源极击穿电压（VDS）：600V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω（最大0.18Ω）
功耗（PD）：48W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
FMW35N60S1FDHF具备低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率；
其高耐压特性（600V VDS）使其适用于高压电源转换应用；
该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和高可靠性；
器件具备较高的电流承载能力（35A ID），适合大功率负载驱动；
内置快速恢复二极管（FRD），有助于减少反向恢复损耗，提高开关性能；
TO-220封装便于安装和散热管理，适用于工业级应用环境；
适用于高温环境工作的宽温度范围设计（-55°C至150°C）增强了其适用性。
开关电源（SMPS）中的功率开关元件；
电机驱动器与变频器中的高电压开关；
光伏逆变器与UPS（不间断电源）系统；
工业自动化设备中的功率控制模块；
LED照明驱动电路中的高效率功率开关；
电源管理系统和电池充电器设计中的关键器件。
FGA35N60SMD, FGL40N60SMD, FQA36N60ES
