时间：2025/6/5 11:54:04
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FN03N2R7C500PLG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换和开关电路中。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度的特点，适用于各种需要高效功率管理的应用场景。
该型号由富昌电子（Future Electronics）提供，主要面向工业和消费类电子市场。其封装形式为TO-220，这种封装能够有效地散热并支持较高的电流密度。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3A
导通电阻（典型值）：2.7Ω
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FN03N2R7C500PLG的主要特性包括：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为500V，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻（典型值为2.7Ω），有助于减少功率损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗。
4. 较高的电流承载能力（最大3A连续漏极电流），可满足多种功率应用需求。
5. 宽工作温度范围（-55℃至+150℃），使其在极端环境下也能保持稳定运行。
6. TO-220封装设计，具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。
FN03N2R7C500PLG适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 逆变器和不间断电源（UPS）系统中的关键组件。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费电子产品中的过流保护和负载切换功能。
FND3N2R7C500PLG
IRF540N
FQP12N50
