时间：2025/8/9 0:56:07
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FMV15N70E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率电子设备中，例如电源管理、开关电源（SMPS）、逆变器、电动机控制和LED照明驱动器等。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够在高温和高压环境下稳定工作。FMV15N70E封装形式通常为TO-220或TO-262，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：15A
漏极-源极击穿电压（Vds）：700V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.35Ω（最大值0.45Ω）
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220、TO-262等
FMV15N70E的主要特性包括优异的热稳定性和高可靠性，适合在高负载和高温环境下运行。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关应用，减少了开关损耗并提高了响应速度。器件的栅极设计优化，确保了在不同工作条件下的稳定控制性能，同时具备较高的抗静电能力和过载保护能力。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和抗短路能力，能够承受一定的异常工况，从而延长使用寿命并提高系统安全性。由于采用了环保材料，FMV15N70E符合RoHS指令，适用于绿色电子产品的设计。
FMV15N70E常用于各种高功率和高电压的电子系统中，如AC/DC转换器、DC/DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、UPS不间断电源、逆变器以及各种工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效电源管理系统的理想选择。此外，该MOSFET还可用于电池管理系统、光伏逆变器以及电动汽车的充电控制模块。
FQP15N70C、IRF15N70C、STP15NK70Z、TK15A70D、2SK2141
