FMV12N50ES 时间：2025/8/9 19:01:51 阅读：9

FMV12N50ES是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及各种高电压、高频率的功率转换场合。该器件由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造，采用先进的平面工艺技术，具备高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性。FMV12N50ES的封装形式为TO-220F，适合用于散热要求较高的应用场景。其设计目标是提供高效能和高可靠性的功率控制解决方案。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　漏-源极击穿电压（VDS）：500V
　　栅-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.4Ω
　　最大耗散功率（PD）：65W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220F

特性

FMV12N50ES的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻和优异的热稳定性。其500V的漏-源极击穿电压使其适用于高电压功率转换应用，能够承受较高的电压应力。低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统的效率。该器件的封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能，适用于对热管理要求较高的设计。
　　此外，FMV12N50ES具备高可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C至150°C）。其栅-源极电压范围为±30V，具备较高的抗干扰能力，防止误触发。该器件的制造工艺采用了先进的平面技术，确保了器件的稳定性和一致性。同时，其快速开关特性使其适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。
　　在实际应用中，FMV12N50ES具有较强的抗短路和过载能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。这种设计特性使得该器件在工业电源、电机控制和照明系统中表现出色。

应用

FMV12N50ES常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、LED照明驱动电路以及电机控制模块。在开关电源中，该器件可以作为主开关管使用，提供高效率和高稳定性的功率转换。在DC-DC转换器中，FMV12N50ES可用于升压或降压拓扑结构，满足不同电压转换需求。此外，该MOSFET也广泛应用于工业自动化设备中的功率控制电路，以及太阳能逆变器等新能源设备中。