时间：2025/7/8 22:39:42
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DMP2123LQ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 QFN 封装。该器件主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其出色的性能使其在电源管理、电机驱动以及负载切换等应用中表现优异。
该器件的工作电压范围较宽，能够在高频率条件下保持高效的功率转换，并且具有较低的导通损耗和良好的热性能。此外，DMP2123LQ 的封装形式紧凑，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷：6nC
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：QFN-6
DMP2123LQ 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，能够满足多种功率需求。
4. 良好的热稳定性和可靠性，确保长时间运行。
5. 紧凑的封装设计节省了 PCB 布局空间。
此外，该器件还具备静电保护功能，增强了产品的鲁棒性。
DMP2123LQ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 固态继电器和保护电路。
5. 工业自动化和消费类电子产品的功率管理模块。
由于其高效的功率转换能力和紧凑的尺寸，DMP2123LQ 成为众多功率敏感型应用的理想选择。
DMP2023UFG, DMN2023UFQ
