时间：2025/8/9 9:52:06
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FMV11N70E是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于高电压应用，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源供应器、电机控制和负载开关等应用场景。FMV11N70E采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：700V
最大漏极电流（ID）：11A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.45Ω（最大值0.55Ω）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220
FMV11N70E是一款高性能的功率MOSFET，具备多项优良特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其最大漏源电压可达700V，能够满足高电压应用的需求，适用于需要较高电压承受能力的电源系统。其次，最大漏极电流为11A，提供了良好的电流承载能力，适合中高功率应用。该器件的导通电阻RDS(on)典型值为0.45Ω，最大值为0.55Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极阈值电压范围为2V~4V，确保在常见的控制电压下能够可靠地导通。FMV11N70E的最大功耗为125W，具备良好的散热性能，能够在较高温度下稳定工作。该器件的工作温度范围为-55°C~150°C，适用于各种恶劣的环境条件。封装形式为TO-220，提供良好的散热和机械强度，便于安装和维护。FMV11N70E还具有较高的可靠性，适用于长期运行的工业设备和消费类电子产品。综合这些特性，FMV11N70E是一款适用于多种高电压、中高功率应用场景的高性能功率MOSFET。
FMV11N70E广泛应用于多种高电压和中高功率电子系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的场合。例如，在DC-DC转换器中，它可用于高效地将一种直流电压转换为另一种直流电压，满足不同电路模块的供电需求。在电源供应器中，该器件可作为主开关元件，实现高效的能量转换和稳定的输出电压。在电机控制系统中，FMV11N70E可用于控制电机的启停和调速，提供可靠的功率控制能力。此外，该器件还可用于负载开关电路，实现对负载的快速和可靠控制。由于其良好的散热性能和较高的可靠性，FMV11N70E也适用于各种工业设备和消费类电子产品，如UPS不间断电源、LED照明驱动、电池管理系统和家电控制电路等。总之，FMV11N70E凭借其高性能特性，广泛应用于电源管理和功率控制领域的多种电子设备中。
FQA11N70, FDPF11N70
