时间：2025/8/9 4:59:21
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FMV11N60EHF 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高击穿电压和低导通电阻的特点，适合用于高效率电源转换器、电机驱动、照明系统和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：11A
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220F
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大值）
阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
FMV11N60EHF 具有以下几个显著特性：
1. 高耐压设计：漏源击穿电压高达600V，使其适用于高电压应用，如开关电源（SMPS）和逆变器系统。
2. 低导通电阻：RDS(on)最大值为0.45Ω，有助于降低导通损耗，提高整体能效。
3. 高可靠性：采用先进的平面工艺和DMOS结构，确保器件在高应力条件下仍具有稳定的性能。
4. 快速开关特性：具有较低的输入和输出电容（CISS和COSS），可实现快速的开关动作，减少开关损耗。
5. 封装优化：采用TO-220F封装，具有良好的热管理和散热能力，适用于需要高功率密度的设计。
6. 过热保护：在高功率操作下，器件内置的热保护机制有助于防止热失效，提高系统稳定性。
FMV11N60EHF 广泛应用于各种电力电子系统中，包括：
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC/DC和DC/DC转换器，用于高效能电源设计。
2. 电机驱动：用于无刷直流电机和步进电机的驱动电路，提供高效率和可靠的功率控制。
3. 照明系统：如LED驱动器和HID（高强度放电）灯镇流器，支持高亮度和长寿命的照明解决方案。
4. 电池管理系统：用于电动车、储能系统和不间断电源（UPS）中的电池充放电控制。
5. 工业自动化：适用于各种工业控制设备和自动化系统中的功率开关。
6. 家用电器：如电磁炉、洗衣机和空调系统中的功率控制模块。
FQA11N60C / FCP11N60E / 2SK2142 / IRFBC40
