FMV11N60 时间：2025/8/9 7:06:56 阅读：30

FMV11N60是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高电压、高电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关电源、电机控制、逆变器和功率转换系统等应用。该器件采用先进的平面硅栅技术，具有较低的导通电阻和快速的开关性能，适用于中高功率的电子设备。FMV11N60封装为TO-220或类似的大功率封装，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。

参数

最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大漏极电流(Id)：11A
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　最大功率耗散(Pd)：40W
　　输入电容(Ciss)：约1600pF
　　反向恢复时间(trr)：约150ns

特性

FMV11N60具备优异的导通特性和快速的开关响应能力，适用于高频开关应用。
　　其低导通电阻(Rds(on))有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的耐用性，适合在严苛环境下运行。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复时间，适用于桥式电路和续流电路。
　　此外，该器件还具备较强的抗过载能力和抗静电放电（ESD）能力，提高了整体系统的可靠性。
　　采用TO-220封装形式，便于安装和散热管理，适用于多种工业和消费类电子应用。

应用

FMV11N60广泛应用于各类功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路、充电器和工业自动化控制系统。
　　在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥电路，实现电机的正反转控制。
　　在电源转换器中，它常用于主开关元件，负责高效的能量转换。
　　由于其良好的高频特性，FMV11N60也适用于无线充电系统和光伏逆变系统等新兴领域。
　　此外，该器件还常用于各类消费电子产品，如智能家电和电源适配器中，提供高效可靠的功率管理解决方案。