类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20 A
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：@ 10V = 0.035Ω, @ 4.5V = 0.045Ω
　　功率耗散（PD）：62 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220AB

100171F MOSFET 具备多项优异特性，使其在各种功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽技术，使得导通电阻 RDS(on) 非常低，典型值为 0.035Ω（在 VGS=10V 时），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。即使在较低的栅极电压（例如 4.5V）下，RDS(on) 也仅增加到 0.045Ω，因此适用于由微控制器或逻辑电平驱动的应用。
　　其次，100171F 支持高达 20A 的连续漏极电流（ID），并且在脉冲条件下可以承受更高的峰值电流，适用于需要高电流处理能力的场景。其最大漏源电压（VDS）为 60V，适用于多种中等电压应用。
　　此外，该 MOSFET 的封装形式为 TO-220AB，这种封装具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片或 PCB 上，确保器件在高功率下稳定运行。TO-220AB 是一种广泛使用的工业标准封装，便于安装和替换。
　　100171F 还具备良好的热稳定性和耐用性，工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，适应各种严苛的环境条件。这使其非常适合工业、汽车和高可靠性应用。
　　最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽（最大 ±20V），允许使用标准的 10V 或 12V 栅极驱动电源，同时也兼容 5V 或 3.3V 控制信号，便于与现代数字控制系统集成。

100171F MOSFET 主要应用于以下领域：
　　? 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器：用于高效能电源转换，尤其是在需要高电流和低导通损耗的场合。
　　? 电机控制：用于驱动直流电机或步进电机，提供高效的功率控制。
　　? 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如 LED 驱动、加热元件或风扇控制。
　　? 电池管理系统：在电池充放电管理电路中用作功率开关，确保安全高效的能量传输。
　　? 工业自动化：用于 PLC 输出模块、继电器替代或工业电机驱动。
　　? 汽车电子：适用于车载电源系统、电动助力转向、车载充电器等应用。

SiHF60N06E, IRFZ44N, FDPF60N06AL, FDS6680, IRLB8721