类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.2Ω（最大值1.5Ω）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220FM

FMV06N90E采用了富士电机专有的超结（Super Junction）技术，实现了高耐压和低导通电阻的完美平衡。该器件的900V高漏源电压使其在高电压应用中具有优异的稳定性。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有较快的开关速度，适用于高频开关电源设计，从而减小变压器和电感元件的尺寸，提高系统的功率密度。
　　这款MOSFET的TO-220FM封装设计具有良好的散热性能，能够有效降低热阻，确保在高负载条件下的稳定运行。其栅极设计具有较高的抗静电能力，提升了器件在复杂工作环境中的可靠性。同时，该器件的短路耐受能力也经过优化，能够在异常工作条件下提供更长的耐受时间，从而保护整个电源系统。
　　此外，FMV06N90E在设计上优化了电磁干扰（EMI）特性，有助于降低开关过程中的噪声干扰，提高系统兼容性。这使得它在需要低噪声运行的环境中表现优异，例如LED照明驱动、高精度工业电源以及电信设备供电系统。

该MOSFET广泛应用于各种高电压功率转换系统，包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器、LED照明驱动电路、高压电池管理系统以及工业自动化设备的电源模块。此外，它还常用于电机控制、电子镇流器和功率因数校正（PFC）电路中，以提升系统效率并降低能耗。

FQA6N90C, 2SK2545, FCH07N65S3