FMV05N50E 时间：2025/8/9 17:22:49 阅读：26

FMV05N50E是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和中等电流应用。该器件由先进的高压MOSFET制造工艺制成，具备高耐压能力和较低的导通电阻特性。FMV05N50E的典型应用包括电源开关、DC-DC转换器、电机驱动和负载控制等场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极连续电流(Id)：5A（在25℃）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻(Rds(on))：约1.5Ω（最大值）
　　功率耗散(Pd)：50W
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单MOSFET

特性

FMV05N50E具有多个显著的技术特性。首先，其漏源耐压高达500V，使其适用于高电压电路中的开关操作。其次，漏极连续电流能力为5A，结合较低的导通电阻（Rds(on)），可实现较低的导通损耗，从而提升系统效率。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。此外，FMV05N50E的栅极驱动电压范围宽，可在±30V之间正常工作，增强了设计的灵活性。
　　它的高可靠性设计使其在高温环境下仍能稳定运行，工作温度范围为-55℃至+150℃，适合工业级应用需求。FMV05N50E还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等场合。

应用

FMV05N50E广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它可用作开关元件，用于AC-DC和DC-DC转换器的设计。在电机驱动电路中，FMV05N50E可用于控制直流电机的速度和方向。此外，该MOSFET还可用于LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）中的开关控制以及工业自动化设备中的负载控制模块。
　　由于其高耐压特性，FMV05N50E也常用于高压逆变器、充电器和不间断电源（UPS）系统中。同时，该器件适合用于太阳能逆变器和电动车相关应用中的功率控制部分。