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FMU-G16S 发布时间 时间:2025/8/7 15:05:31 查看 阅读:19

FMU-G16S是一款由Fuji Electric(富士电机)制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,主要用于高功率应用,如工业逆变器、电机驱动和电力转换系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管芯片,提供高效、可靠的功率开关性能。FMU-G16S采用紧凑的封装设计,具有良好的热管理和电气绝缘性能,适用于要求高效率和高可靠性的电力电子设备。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):75A
  短路耐受电流:150A
  最大工作温度:150°C
  封装形式:双列直插式(DIP)
  绝缘等级:增强绝缘
  导通压降:约2.1V
  短路电流能力:150A(10μs)

特性

FMU-G16S IGBT模块具有多项卓越的性能特点。首先,其额定集电极-发射极电压为1200V,适用于中高功率应用,能够承受较高的电压应力。额定集电极电流为75A,支持较大的负载电流,适合用于工业电机驱动和逆变器系统。模块具备较高的短路耐受能力,可承受150A的短路电流持续10微秒,增强了系统在异常情况下的可靠性。
  此外,该模块采用先进的芯片封装技术,具有良好的热管理能力,能够有效降低运行时的温升,提高模块的寿命和稳定性。模块内部集成的快速恢复二极管具有较低的反向恢复损耗,有助于提升整体系统的能效。
  在封装设计方面,FMU-G16S采用双列直插式(DIP)封装,具备良好的机械稳定性和安装便利性。模块符合IEC标准的增强绝缘要求,确保在高电压应用中的安全性和可靠性。其绝缘材料和结构设计能够有效防止电弧和漏电流,适用于工业环境中的严苛条件。
  从驱动角度来看,FMU-G16S具有较低的栅极驱动功耗,能够与常见的IGBT驱动电路兼容,简化了外围电路设计。模块的导通压降约为2.1V,在导通状态下功耗较低,有助于提高系统的整体效率。同时,其快速开关特性减少了开关损耗,使模块在高频应用中表现优异。

应用

FMU-G16S广泛应用于多种电力电子系统中,包括工业电机驱动器、通用变频器、不间断电源(UPS)、电焊机、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等。其高电压和中等电流的特性使其成为工业自动化和电力转换设备中的理想选择。在电机驱动系统中,该模块可用于实现高效的交流电机控制,提升系统的能效和响应速度。在太阳能逆变器中,FMU-G16S可以用于将光伏板产生的直流电转换为交流电,并入电网。由于其良好的热稳定性和可靠性,该模块也适用于需要长时间运行的工业设备,如输送带系统、风机和泵类控制装置。

替代型号

SKM75GB12T4, FF75R12KS4P

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FMU-G16S参数

  • 现有数量474现货
  • 价格1 : ¥6.68000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25 V @ 5 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)400 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 600 V
  • 不同?Vr、F 时电容-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2 整包
  • 供应商器件封装TO-220F-2L
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C