时间：2025/8/9 3:11:05
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FMR23N57E 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，提供了卓越的导通和开关性能，适用于各种工业设备、电源供应器和马达控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：23A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：约0.27Ω（典型值）
功率耗散（Ptot）：125W
FMR23N57E MOSFET具备多项优异特性，包括高耐压能力、低导通电阻、以及优秀的热稳定性。其高耐压能力（600V）使其适用于高电压环境下的功率转换和控制应用。低导通电阻确保了在高电流工作状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，该器件采用了高可靠性的封装技术，确保其在恶劣环境中的稳定运行。FMR23N57E的栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，同时具备良好的抗干扰能力，能够在高频工作条件下保持稳定性能。
FMR23N57E MOSFET主要应用于工业自动化设备、电源管理系统、不间断电源（UPS）、逆变器、马达驱动器以及高电压直流电源转换系统。其高可靠性和优异的电气性能使其成为工业控制、新能源设备以及消费类电子产品中不可或缺的元件。
IRF840、FQA24N50、2SK2142
