类型：功率MOSFET
　　额定电压：600V
　　额定电流：17A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：125W
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：600V
　　漏极-栅极击穿电压（Vdg）：600V
　　源极-栅极击穿电压（Vgs）：±20V
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：1200pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：300pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：25ns（典型值）

FMR17N60ES 采用先进的沟槽栅极技术，使得其导通电阻非常低，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该器件的开关特性非常出色，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，适应性强。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和较高的功率处理能力，适合在高负载环境下运行。其封装设计有助于有效的散热，确保长时间运行的可靠性。FMR17N60ES 还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供额外的安全保障。
　　该器件还具备较低的输入和输出电容，使得其在高频应用中具有良好的响应特性，同时减少了寄生效应的影响。其反向恢复时间较短，有助于降低开关损耗，提高整体系统的效率。
　　由于其优异的电气特性和热性能，FMR17N60ES 适用于多种功率转换和控制电路，包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等应用。

FMR17N60ES 主要应用于需要高效功率转换和控制的电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、逆变器、UPS系统、电机驱动器和照明控制系统等。其高效的开关特性和良好的热管理能力使其成为高可靠性电力电子系统的重要组成部分。
　　在开关电源领域，FMR17N60ES 用于主开关或同步整流器，提供高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该器件用于高频开关操作，提高转换效率。在逆变器和电机控制应用中，FMR17N60ES 作为功率开关元件，实现对电机速度和扭矩的精确控制。
　　此外，该MOSFET还可用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备、工业自动化系统以及高功率LED照明驱动电路等新兴应用领域，满足现代电力电子设备对高效、可靠和小型化的需求。

FQA16N60C、STF16N60DM2、IRFPC60、IXFN18N60P