类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：11A（@25°C）
　　连续漏极电流（ID RMS）：7.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：44A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：max 0.72Ω @ VGS=10V, ID=5.5A
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 5.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1200pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：典型值180pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值28ns
　　二极管正向电压（VSD）：1.5V max @ IS=11A
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220F

FMR11N90E具备多项关键特性，使其成为高性能电源应用中的理想选择。首先，其900V的高漏源击穿电压使其能够承受瞬态过压冲击，特别适用于离线式开关电源设计，在电网波动较大或存在雷击浪涌风险的环境中仍可保持稳定工作。其次，该器件采用了超结（Super Junction）结构技术，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在保证高耐压的同时实现了较低的RDS(on)，有效减少了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。此外，优化的栅极设计使得输入电容和栅极电荷较小，降低了驱动损耗，并加快了开关速度，有利于实现高频开关操作，进而减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　另一个重要特性是其出色的热性能表现。FMR11N90E采用TO-220F封装，底部带有绝缘片，可以直接安装于散热器上，实现高效散热。这种封装方式不仅增强了热传导能力，还确保了电气隔离安全性，尤其适用于工业级和户外应用环境。器件本身具有良好的热稳定性，即使在高温工况下也能维持稳定的电气参数，避免因温度上升导致的性能下降或失效问题。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能量能力，能够在异常条件下吸收一定的能量而不发生永久损坏，提升了系统鲁棒性。
　　在可靠性方面，FMR11N90E通过了严格的生产测试流程，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和功率循环测试，确保长期使用的稳定性。其内部结构经过优化，减少了寄生参数的影响，抑制了米勒效应引发的误开通现象，进一步增强了在高dV/dt环境下的抗干扰能力。此外，该器件支持快速体二极管反向恢复，虽然并非专门用于同步整流，但在某些硬开关拓扑中仍能减少开关应力和电磁干扰。综合来看，FMR11N90E凭借高耐压、低损耗、良好热管理和高可靠性的综合优势，广泛应用于各类中高端电力电子设备中。

FMR11N90E主要应用于需要高电压、高效率和高可靠性的电力电子系统中。一个典型的应用领域是离线式开关电源（SMPS），尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，作为主开关管使用。这类电源常见于适配器、充电器、工业控制电源模块等设备中，要求在宽输入电压范围内稳定工作，而FMR11N90E的900V耐压能力正好满足全球交流电网波动的需求，特别是在110V/220V自动切换电源中表现出色。
　　在LED照明驱动电源中，FMR11N90E也发挥着重要作用。随着高亮度LED在室内外照明中的普及，对其驱动电源的效率、寿命和EMI性能提出了更高要求。FMR11N90E凭借低导通损耗和快速开关特性，有助于实现高PF值和低THD的电源设计，同时减少发热，延长灯具使用寿命。其良好的热管理能力也适应了密闭灯壳内的恶劣散热条件。
　　此外，该器件还广泛用于DC-DC升压或降压变换器、太阳能微型逆变器、UPS不间断电源以及小型风力发电系统中的DC-AC逆变环节。在这些新能源应用中，高电压等级和高转换效率是核心指标，FMR11N90E能够在复杂的动态负载条件下保持稳定输出。同时，它也被用于电机驱动控制器、电焊机电源模块等工业设备中，承担功率开关任务。得益于其坚固的封装和抗干扰能力强的特点，FMR11N90E适用于严苛的工业环境。总的来说，凡是涉及高压直流或交流整流后进行高频开关的应用场景，FMR11N90E都是一个值得信赖的功率开关解决方案。

FQP11N90C, STF11NM60ND, 2SK2978, K2978, FQU11N90C