FMP16N60E 时间：2025/8/9 17:32:04 阅读：31

FMP16N60E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由富士电机（Fuji Electric）生产。该器件设计用于高电压和高电流应用，适用于开关电源、马达控制、DC-DC转换器以及各种电力电子设备中。FMP16N60E采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：16A
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　导通电阻（RDS(ON)）：约0.47Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：80W
　　封装形式：TO-220

特性

FMP16N60E具备一系列优秀的电气特性和物理特性，适合高要求的功率管理应用。其最大漏源电压达到600V，使其适用于高电压工作环境。在栅极驱动方面，±30V的栅源电压允许使用较为灵活的驱动电路设计，同时具有较高的抗干扰能力。
　　该MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）约为0.47Ω，这在同类器件中处于较低水平，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件支持高达16A的连续漏极电流，在TO-220封装的功率MOSFET中具有较强的电流承载能力，适用于需要高功率密度的设计。
　　FMP16N60E的工作温度范围为-55℃至150℃，具备良好的热稳定性和环境适应性。这使得它不仅可以在常规工业环境中使用，也可以适应较为恶劣的工况，例如汽车电子系统或户外电力设备。同时，其80W的功率耗散能力确保了在高负载情况下仍能维持良好的散热性能，延长器件使用寿命。
　　从封装角度来看，TO-220封装结构简单且易于安装，广泛用于分立功率器件中。它不仅便于焊接和维护，还能提供良好的机械稳定性和电气隔离，适合各种PCB布局设计。

应用

FMP16N60E广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、马达驱动器、逆变器、DC-DC转换器、LED驱动电源以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，特别适合用于需要频繁开关操作的高频功率转换器中。此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及新能源设备如太阳能逆变器等。
　　在消费电子领域，FMP16N60E可应用于高功率适配器、充电器和智能家电中的功率控制模块。在汽车电子中，它可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电动汽车中的辅助电源管理单元。其良好的热稳定性和封装结构也使其适合用于环境温度较高或散热条件受限的应用场景。