时间：2025/8/9 18:55:57
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FMP16N50E 是一款由 Fairchild（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高效率的电源转换应用，例如DC-DC转换器、电源管理系统以及电机控制电路等。FMP16N50E具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，能够满足工业和消费类电子设备中对功率器件的高性能需求。其封装形式为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：16A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：125W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
FMP16N50E具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.38Ω，使得在导通状态下产生的功率损耗较低，从而提高了系统的整体效率。该MOSFET的高耐压能力（Vds=500V）使其适用于高压电源转换器和电机控制应用。
此外，FMP16N50E采用了先进的平面工艺技术，提供了良好的热稳定性和可靠性。其最大漏极电流为16A，在高负载条件下依然能够保持稳定的性能。TO-220封装形式不仅便于安装在散热片上，还增强了器件的散热能力，从而延长了使用寿命。
该器件还具备良好的开关特性，包括快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。同时，FMP16N50E的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的栅极电压，便于与不同的驱动电路兼容。
在保护方面，该MOSFET具备一定的过热保护和过流保护能力，能够在极端条件下防止器件损坏。这些特性使得FMP16N50E非常适合用于高要求的工业电源、家用电器、电动车控制器和照明系统等领域。
FMP16N50E广泛应用于各种高功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高可靠性的电源转换场合。例如，它常用于AC-DC和DC-DC电源转换器中，作为主开关器件，实现高效的能量转换。此外，该MOSFET也适用于马达驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及LED照明驱动电路。
在消费电子产品中，FMP16N50E可用于笔记本电脑、平板电脑和智能电视的电源管理系统。在工业领域，它被广泛应用于自动化控制设备、变频器和工业电机控制器中。由于其高耐压和大电流特性，该器件也适用于电动车的电池管理系统和充电器模块。
此外，FMP16N50E还可用于太阳能逆变器和储能系统中，作为功率开关元件，实现能量的高效管理与传输。其高可靠性和优异的热性能使其在高温和高负载环境下依然能够稳定运行。
FQP16N50C, IRFBC40, FMP18N50E
