FMP12N50ES 时间：2025/8/9 13:55:29 阅读：8

FMP12N50ES是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，专为高电压和高功率应用而设计。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。FMP12N50ES广泛应用于电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备中。其500V的漏源击穿电压使其适用于各种高电压操作环境。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）@25℃：12A
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω @ VGS=10V
　　栅极电压范围：±30V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

FMP12N50ES具有多个关键特性，使其适用于各种高电压和高功率电子系统。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保在导通状态下具有较小的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备较高的雪崩耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的保护。
　　此外，FMP12N50ES采用高热稳定性设计，可在高温环境下稳定运行，适用于散热条件受限的应用场景。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），使得其可以与多种驱动电路兼容。
　　该器件的封装形式为TO-220，具有良好的机械稳定性和热传导性能，便于安装在散热器上，确保长时间高负载运行时的稳定性。同时，FMP12N50ES还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高系统响应速度。

应用

FMP12N50ES广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动电路、逆变器、工业自动化设备和电池管理系统。由于其500V的高耐压能力，该器件特别适用于需要高电压隔离和稳定性的应用，如太阳能逆变器和UPS系统。
　　在开关电源设计中，FMP12N50ES可作为主功率开关器件，用于提高转换效率并减小整体电源体积。在电机控制应用中，它可以用于PWM控制，实现精确的速度和扭矩调节。此外，该MOSFET还可用于LED驱动电源、电焊设备和高频感应加热装置等高功率电子系统。