类型：P-Channel MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值约为3.5Ω @ VGS = -10V
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23（SC-59）

FMOSBSS84T-H 是一款高性能的P沟道MOSFET，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高效率的电源管理系统。该器件的栅极结构设计优化，确保了快速的开关性能，同时减少了开关过程中的能量损耗。此外，其耐压能力较强，漏源击穿电压达到-30V，使得它能够在较为严苛的电气环境下稳定运行。
　　这款MOSFET采用SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。其最大漏极电流为100mA，适用于中低功率的开关控制应用。栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制灵活性，同时内置的栅极保护二极管可防止静电击穿，提高器件的使用寿命。
　　在热管理方面，该MOSFET具有良好的热稳定性，最大工作温度可达+150°C，能够在高温环境下保持稳定性能。其300mW的功率耗散能力使得该器件适用于中低功率应用，如电池供电设备、便携式电子产品和小型电机控制电路。

FMOSBSS84T-H 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路、工业自动化设备以及便携式电子设备中。其小尺寸和高可靠性也使其适用于汽车电子系统中的低功耗控制电路。

BSS84P, BSS84, FDV303P, FMMT718