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FMMTA42TA 发布时间 时间:2025/12/26 8:33:58 查看 阅读:9

FMMTA42TA是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装小信号NPN双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23封装,适用于高频、低功率应用场合。该器件专为放大和开关功能设计,广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、信号调理模块以及消费类电子产品中。FMMTA42TA具有优良的直流电流增益(hFE)稳定性、快速开关响应时间和良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。其小型化封装形式使其非常适合高密度PCB布局,满足现代电子产品对空间节省和轻量化的需求。该晶体管符合RoHS环保标准,并通过了无铅(Pb-free)工艺认证,适用于无铅焊接流程。FMMTA42TA常用于替代传统的分立式晶体管,在需要中等电流驱动能力(最大集电极电流可达100mA)的应用中表现出色。由于其优异的频率响应特性,它也适合射频前端电路中的小信号放大任务。此外,该器件具备较低的饱和电压,有助于降低功耗并提高系统能效。整体而言,FMMTA42TA是一款高性能、高可靠性的小信号晶体管,适用于多种通用模拟与数字电路设计场景。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50 V
  集电极-基极电压(VCBO):60 V
  发射极-基极电压(VEBO):5 V
  集电极电流(IC):100 mA
  功率耗散(PD):300 mW
  直流电流增益(hFE):100 至 400
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作结温范围(Tj):-55 至 +150 °C
  封装类型:SOT-23

特性

FMMTA42TA具备优异的高频性能和稳定的直流增益特性,能够在高频信号处理应用中提供可靠的放大能力。其典型的过渡频率(fT)达到100MHz,意味着该晶体管在射频或高速开关电路中能够有效工作,适用于诸如无线通信前端、音频前置放大器或脉冲信号整形电路等应用场景。该器件的直流电流增益(hFE)范围为100至400,表现出良好的一致性与批次稳定性,有助于简化电路设计中的偏置配置,并减少外围补偿元件的需求。
  该晶体管采用先进的硅外延平面工艺制造,确保了低噪声、低漏电流和高击穿电压特性。其集电极-发射极击穿电压(VCEO)为50V,允许在中等电压环境下安全运行,适用于5V、12V或24V工业控制与接口电路。同时,最大集电极电流为100mA,足以驱动继电器、LED指示灯或小功率负载,作为开关使用时具备较快的开启与关断速度,减少开关损耗。
  SOT-23封装不仅体积小巧(典型尺寸约2.9mm x 1.3mm x 2.1mm),还具备良好的散热性能,使器件在有限空间内仍能维持稳定工作温度。该封装支持自动化贴片生产,适用于回流焊工艺,提高了制造效率和产品一致性。FMMTA42TA的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在极端环境条件下保持性能稳定,适用于汽车电子、工业自动化和户外设备等严苛应用场景。
  此外,该器件符合RoHS指令要求,不含铅、镉、汞等有害物质,属于绿色环保元器件。其无铅端子结构经过优化设计,增强了焊接可靠性和抗热冲击能力。综合来看,FMMTA42TA以其高频响应、高增益、小尺寸和高可靠性,成为现代电子系统中理想的通用型NPN晶体管解决方案。

应用

FMMTA42TA广泛应用于各类消费类电子产品中的信号放大与开关控制电路,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和便携式音频设备。在这些设备中,它常被用作音频前置放大器、麦克风偏置电路或耳机驱动缓冲级。此外,在电源管理系统中,该晶体管可用于实现低压差稳压器(LDO)的使能控制、电池充放电状态检测或负载切换功能。
  在工业控制领域,FMMTA42TA可用于传感器信号调理、光电耦合器驱动、逻辑电平转换以及继电器或LED驱动电路。其快速响应能力和较高的电流增益使其能够高效地将微弱信号放大至可用水平,提升系统的灵敏度和精度。在通信设备中,该器件适用于RF小信号放大、本地振荡器缓冲或调制解调电路中的有源元件。
  由于其SOT-23小型封装和高集成度特点,FMMTA42TA特别适合空间受限的高密度PCB设计,如物联网(IoT)节点模块、无线传感网络终端和嵌入式控制系统。同时,其宽温度工作范围也使其适用于汽车电子中的车身控制模块、仪表盘指示灯驱动或车载信息娱乐系统的内部信号处理单元。总之,FMMTA42TA凭借其多功能性、高可靠性和紧凑设计,成为众多电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

替代型号

MMBT3904, BC847B, 2N3904, FMMT222TA

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FMMTA42TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 2mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA,10V
  • 功率 - 最大330mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称3EFMMTA42TR