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FMMT723QTA 发布时间 时间:2025/12/26 10:29:32 查看 阅读:15

FMMT723QTA是一款由安森美(onsemi)生产的表面贴装硅NPN晶体管,专为高增益、低电压、低电流应用而设计。该器件采用SOT-23封装,具有紧凑的尺寸和优良的热性能,适用于空间受限的便携式电子设备。FMMT723QTA符合AEC-Q101汽车级标准,表明其具备在严苛环境下稳定工作的能力,因此非常适合用于汽车电子系统中。该晶体管的高电流增益和快速开关特性使其成为小信号放大和开关应用的理想选择。此外,产品通过了无铅认证,并符合RoHS环保要求,适合现代绿色电子产品制造。FMMT723QTA广泛应用于电源管理、LED驱动、传感器接口、逻辑缓冲器以及各类消费类电子设备中,是工业与汽车领域中可靠的小信号晶体管解决方案之一。

参数

类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vceo):50V
  集电极-基极电压(Vcb):60V
  发射极-基极电压(Veb):6V
  集电极电流(Ic):500mA
  功率耗散(Pd):350mW
  直流电流增益(hFE):100 - 400(典型值300)
  过渡频率(fT):200MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)

特性

FMMT723QTA具备出色的电气性能和可靠性,其核心优势之一在于高直流电流增益(hFE),典型值可达300,在100至400的宽范围内变化,确保在不同工作条件下都能实现稳定的放大效果。这一特性使得该晶体管在小信号放大电路中表现优异,例如音频前置放大、传感器信号调理等应用。
  其最大集电极电流为500mA,能够在较低的驱动电流下控制相对较大的负载,提升了系统的能效比。同时,器件的集电极-发射极饱和电压(Vce(sat))较低,通常在Ic = 100mA时仅为0.1V左右,这有助于减少导通损耗,提高电源效率,特别适合电池供电设备中的开关应用。
  FMMT723QTA的工作频率高达200MHz,意味着它不仅适用于直流或低频信号处理,还能胜任高频开关任务,如射频调制、高速数字逻辑切换等场景。结合其SOT-23小型封装,该器件可在高频PCB布局中实现紧凑布线,降低寄生电感和电容的影响,从而提升整体电路性能。
  另一个关键特性是其符合AEC-Q101汽车级认证,表明该器件经过严格的应力测试,包括高温反偏、温度循环、机械冲击等多项考核,确保在极端温度、振动和湿度条件下仍能保持长期稳定性。因此,FMMT723QTA被广泛用于汽车电子系统,如车身控制模块、车载照明、电机驱动、CAN总线接口等。
  此外,该晶体管采用环保材料制造,符合RoHS指令且不含卤素,满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。其封装形式SOT-23便于自动化贴片生产,支持回流焊工艺,提高了生产效率和组装良率。综合来看,FMMT723QTA是一款高性能、高可靠性的小信号NPN晶体管,适用于多种工业、消费及汽车应用场景。

应用

FMMT723QTA广泛应用于需要小信号放大与开关控制的电子系统中。在汽车电子领域,常用于车身控制系统中的继电器驱动、车灯开关控制、电动门窗模块以及传感器信号放大等场合。由于其具备AEC-Q101认证,能够在-40°C至+125°C的严苛环境中稳定运行,因此特别适合部署于发动机舱内或底盘附近的电子单元。
  在消费类电子产品中,该晶体管可用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的LED背光驱动、电源开关、电池充电管理电路以及音频信号放大等模块。其低功耗特性和小型封装非常契合便携式设备对空间和能耗的严格要求。
  工业控制方面,FMMT723QTA可用于PLC输入输出接口、光电传感器信号调理、继电器或MOSFET的驱动级电路,作为隔离与电平转换的关键元件。其快速开关能力和较高的电流增益有助于提升系统响应速度和信号完整性。
  此外,在通信设备中,该器件可用于低频段的射频开关、逻辑电平转换器或缓冲放大器,尤其是在需要高可靠性和长期稳定性的嵌入式通信节点中表现突出。由于其兼容自动贴片工艺,也常被用于大规模生产的各类印刷电路板上,涵盖从家用电器到医疗仪器的广泛应用场景。

替代型号

MMBT723, BC847B, 2N3904, FMMT723

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FMMT723QTA参数

  • 现有数量19,749现货
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)3,000 : ¥1.89971卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)100 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)330mV @ 150mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)250 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大值625 mW
  • 频率 - 跃迁200MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3