时间：2025/7/12 15:30:35
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RF15N0R4A201CT 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET，该器件采用了 TrenchFET 第三代技术。这种技术使得 RF15N0R4A201CT 在低导通电阻和高效率方面表现优异，非常适合用于高频开关应用和 DC-DC 转换器等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 Thin PowerPAK SO-8（TPP），具有较低的热阻和寄生电感，能够支持更高的功率密度和更小的系统体积。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：33A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅极电荷：18nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：Thin PowerPAK SO-8
RF15N0R4A201CT 的主要特点是其超低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，TrenchFET 技术还带来了更低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗。
由于其出色的电气性能和高温适应能力，这款器件在高功率密度应用中表现出色。同时，其 TPP 封装设计也使其易于集成到紧凑型电路板布局中。
另外，RF15N0R4A201CT 还具备良好的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了器件的可靠性和耐用性。
RF15N0R4A201CT 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制器
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统（BMS）
6. 通信电源模块
这些应用场景充分利用了该器件的低导通电阻、高效开关特性和稳健的可靠性。
RF15N0R4A200CT, IRF3710TRPBF, FDP077N06S
