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FMMT558QTA 发布时间 时间:2025/12/26 11:21:03 查看 阅读:18

FMMT558QTA是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装硅NPN双极结型晶体管(BJT),专为中等功率开关和放大应用而设计。该器件采用SOT-223封装,具有良好的热性能和较高的功率耗散能力,适用于需要紧凑尺寸同时兼顾散热性能的电路设计。FMMT558QTA广泛应用于电源管理、电机控制、LED驱动、DC-DC转换器以及各类消费类电子设备中的开关功能模块。其高电流增益和快速开关特性使其在高频操作下依然保持优异性能。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)和AEC-Q101汽车级可靠性认证,适合用于严苛环境下的工业与车载系统。由于其稳定的电气特性和可靠的封装结构,FMMT558QTA成为许多中功率模拟与数字电路设计中的优选器件之一。
  FMMT558QTA在制造过程中采用了先进的晶圆工艺技术,确保了器件的一致性和长期工作稳定性。其引脚布局便于PCB散热设计,三个引脚分别为发射极、基极和集电极,其中较大的中央引脚连接至集电极并可有效传导热量到PCB,从而提升整体热管理效率。该器件可在较宽的温度范围内正常工作,适用于-55°C至+150°C的结温范围,满足多种极端工况需求。

参数

类型:NPN
  集射极电压(Vceo):200V
  集电极电流(Ic):3A
  功率耗散(Pd):1.5W
  直流电流增益(hFE):100 - 400
  过渡频率(fT):100MHz
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-223

特性

FMMT558QTA具备出色的电气性能和热稳定性,其最大集射极电压可达200V,能够支持高压开关应用,如离线式电源控制或继电器驱动电路。在额定工作条件下,该晶体管可承载高达3A的连续集电极电流,瞬态峰值电流更高,因此适用于驱动感性负载或大电流LED阵列。其典型的直流电流增益范围为100至400,在不同电流水平下表现出良好的线性放大能力,有助于减少外部偏置电路的复杂度。
  该器件的过渡频率高达100MHz,表明其在高频信号处理方面具备较强的能力,可用于高速开关电源或脉宽调制(PWM)控制场景。结合较低的饱和压降(典型Vce(sat) = 0.3V @ Ic = 1.5A, Ib = 150mA),FMMT558QTA能够在导通状态下显著降低功耗,提高系统能效。SOT-223封装不仅节省空间,还通过大面积的铜焊盘实现高效散热,使得即使在高功率密度应用中也能维持较低的工作温度。
  此外,FMMT558QTA通过了AEC-Q101汽车级认证,意味着它经过严格的应力测试,包括高温反向偏置、温度循环、机械冲击等,确保在汽车电子系统中的长期可靠性。器件内部采用先进的掺杂技术和钝化层保护,增强了对湿气和污染物的抵抗能力,提升了使用寿命。其无铅、无卤素的设计也符合现代绿色电子产品的发展趋势,适用于出口型产品及环保要求严格的项目。总体而言,FMMT558QTA是一款兼具高性能、高可靠性和良好热管理能力的中功率NPN晶体管。

应用

FMMT558QTA常用于各类中等功率开关和放大电路中,尤其适合需要较高电压耐受能力和稳定电流输出的应用场合。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的驱动级晶体管、DC-DC升压或降压转换器中的功率开关元件、电池管理系统中的充放电控制电路以及LED照明驱动模块中的恒流调节部分。由于其具备较强的负载驱动能力,该器件也广泛应用于电机控制、电磁阀驱动、继电器接口电路等工业自动化领域。
  在消费类电子产品中,FMMT558QTA可用于LCD背光控制、USB充电端口的电源切换、便携式设备的电源管理单元等。得益于其汽车级认证,该晶体管同样适用于车载系统,例如车灯控制模块、风扇调速电路、车载充电器和车身控制模块(BCM)等。此外,在通信设备和网络基础设施中,它可用于信号切换或小信号放大环节。对于需要高可靠性的医疗设备或测量仪器,FMMT558QTA也可作为关键的有源开关元件使用。总之,凭借其宽泛的工作电压范围、良好的热性能和稳定的电气参数,FMMT558QTA在多行业、多领域的电子设计中展现出广泛的适用性。

替代型号

[
   "MMBT558",
   "FMMT558",
   "PBSS5580NX",
   "ZTX658",
   "BC858"
  ]

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FMMT558QTA参数

  • 现有数量46,385现货75,000Factory
  • 价格1 : ¥4.05000剪切带(CT)3,000 : ¥1.43419卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)400 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 6mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 50mA,10V
  • 功率 - 最大值500 mW
  • 频率 - 跃迁50MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3