类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110-800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

FMMT493晶体管具有多项优秀的电气特性，使其适用于各种通用电子电路设计。首先，它的集电极-发射极击穿电压为100V，允许在较高电压环境中稳定运行，适用于需要较高电压隔离的应用场景。其次，晶体管的集电极最大电流为100mA，适用于低至中等功率的开关和放大任务。此外，FMMT493具有低饱和压降特性，这在开关操作中能够有效降低功率损耗，提高整体电路效率。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于工作电流和晶体管的等级（通常分为不同等级，如hFE等级O、Y、GR、BL等），这使得设计人员可以根据应用需求选择合适的器件。FMMT493的频率响应较高，支持快速开关操作，适用于脉宽调制（PWM）控制器、LED驱动电路以及小型电机控制电路。
　　由于其采用SOT-23小型封装，FMMT493非常适合空间受限的设计，例如便携式电子设备、传感器模块和嵌入式系统。此外，其300mW的额定功耗确保在不使用散热片的情况下也能稳定运行，适用于低功耗和高密度电路设计。

FMMT493常用于通用晶体管开关电路中，如LED驱动器、继电器控制、小型直流电机控制以及逻辑电平转换电路。在数字电路中，它被广泛用于MOSFET或继电器的前级驱动，以实现高电压或高电流负载的控制。此外，FMMT493还可用于音频放大器的前置放大级、传感器信号调节电路以及各种工业自动化和控制模块中。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，FMMT493也常用于汽车电子系统、消费类电子产品以及通信设备中。例如，在汽车应用中，它可以用于控制灯泡、风扇或其他小型执行器；在消费电子中，可用于电池管理、负载开关和逻辑控制电路。此外，FMMT493还被广泛应用于物联网（IoT）设备、智能传感器和远程控制系统中，作为关键的信号处理和功率控制元件。

MMBT493, BC846, 2N3906, PN2907