型号：FMM5605ZET/104
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　连续漏极电流（ID）：120 A（在TC=25°C条件下）
　　脉冲漏极电流（IDM）：360 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：2.3 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 60 A
　　导通电阻（RDS(on) max）：3.0 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 60 A
　　栅极电荷（Qg）：95 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：4300 pF @ VDS = 30 V
　　开启延迟时间（td(on)）：12 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35 ns
　　反向恢复时间（trr）：24 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：Power88 (DFN5x6)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

FMM5605ZET/104采用了安森美先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻并提升了载流能力。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为2.3mΩ，这使得在大电流应用中功耗极低，有助于提高整体系统效率并减少散热需求。同时，在VGS=4.5V的低压驱动条件下仍能保持3.0mΩ的低导通电阻，使其兼容3.3V或5V逻辑驱动信号，适用于由微控制器直接驱动的场景。
　　该MOSFET具备出色的开关性能，其栅极电荷（Qg）仅为95nC，输入电容（Ciss）为4300pF，这些参数保证了快速的开关响应和较低的驱动损耗，非常适合高频开关电源应用，如同步整流、多相降压变换器等。此外，器件的开启和关断延迟时间分别为12ns和35ns，配合24ns的体二极管反向恢复时间，有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　在可靠性方面，FMM5605ZET/104的工作结温范围可达-55°C至+175°C，表现出优异的热稳定性，适用于严苛的工业和汽车环境。其Power88封装采用铜夹片连接技术（copper clip），大幅降低了封装电阻和热阻，增强了电流承载能力和散热效率。该封装还优化了引脚布局，减少了寄生电感，有助于提升高频性能和抗噪声能力。
　　器件符合AEC-Q101汽车级可靠性认证，适合用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）和车载充电机等对安全性和长期稳定性要求高的场合。同时，产品无铅、无卤素，满足现代绿色电子产品的环保要求。综合来看，FMM5605ZET/104是一款兼具高性能、高可靠性和高集成度的功率MOSFET，适用于高端电源设计中的关键开关元件。

FMM5605ZET/104广泛应用于多种高效率、高功率密度的电力电子系统中。在服务器和通信电源领域，常用于多相电压调节模块（VRM）中的下管或上管，支持CPU/GPU的动态供电需求，其低RDS(on)和快速开关特性可显著降低导通和开关损耗，提高整体能效。在DC-DC转换器中，该器件适用于升降压（Buck-Boost）、半桥和全桥拓扑结构，尤其在高电流输出的应用中表现优异。
　　在电机驱动应用中，FMM5605ZET/104可用于H桥电路中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，其高电流承载能力和快速响应特性确保了电机运行的平稳性和响应速度。此外，在电池管理系统（BMS）和负载开关电路中，该器件可作为主开关或保护开关使用，实现快速通断和过流保护功能。
　　在汽车电子领域，该MOSFET适用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电动座椅和车窗控制模块等，其AEC-Q101认证和宽温工作范围确保了在复杂车载环境下的长期可靠性。消费类电子产品如高端笔记本电脑、游戏主机和LED照明驱动电源中也常见其身影，用于实现高效能电源管理。
　　工业自动化设备如PLC、变频器和伺服驱动器同样依赖此类高性能MOSFET来提升系统效率和响应速度。总之，FMM5605ZET/104凭借其卓越的电气性能和封装优势，成为现代高功率密度电源设计中的理想选择。

FDMC8810
　　IRLHS6242
　　CSD19536KTT
　　SIHA50EDP-T1-E3