型号：FMM5013MUT
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：射频晶体管 - SiGe BJT
　　晶体管配置：单晶体管
　　晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（PD）：250 mW
　　增益带宽积（fT）：12 GHz
　　噪声系数（NF）：0.9 dB @ 2.4 GHz
　　直流电流增益（hFE）：80 ~ 120
　　封装类型：SOT-323（UMT）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C（Tj）
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　单位增益频率：12 GHz
　　特征频率（fT）：12 GHz
　　最小工作频率：DC
　　最大工作频率：6 GHz

FMM5013MUT的核心特性之一是其基于硅锗（SiGe）技术的高频性能表现。与传统的硅基双极型晶体管相比，SiGe工艺显著提升了载流子迁移率和截止频率，使FMM5013MUT能够实现高达12 GHz的增益带宽积（fT），从而在2.4 GHz、5 GHz甚至6 GHz频段下仍保持优异的增益和稳定性。这种高频能力使其成为Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x、Zigbee及5G Sub-6GHz通信系统的理想选择。该器件在2.4 GHz频段下的典型噪声系数仅为0.9 dB，这一低噪声特性对于低噪声放大器（LNA）的设计至关重要，有助于提升接收链路的信噪比和灵敏度，从而增强无线通信的稳定性和传输距离。
　　FMM5013MUT具备出色的线性度和高增益表现，典型小信号增益（S21）在2.4 GHz下可达18 dB以上，确保了信号在放大过程中失真小、保真度高。其NPN结构配合优化的基区掺杂工艺，使得晶体管在低偏置电流（如5~20 mA）下仍能维持较高的跨导和增益，非常适合电池供电的便携式设备，如智能手机、无线耳机、智能家居传感器等。此外，该器件的最大集电极电流为100 mA，支持中等功率输出，可用于驱动后续射频级联电路或作为缓冲放大器使用。
　　在封装方面，FMM5013MUT采用SOT-323（也称UMT）三引脚小型化封装，尺寸仅为2.0 mm × 1.25 mm × 1.1 mm，极大地节省了PCB空间，便于集成到紧凑型模块中。该封装具有良好的热传导性能和电气连接稳定性，支持回流焊工艺，适用于自动化高速贴片生产。同时，器件经过严格的可靠性验证，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。FMM5013MUT还具备良好的ESD耐受能力，典型HBM ESD额定值可达2 kV，增强了在生产和使用过程中的抗静电损伤能力。

FMM5013MUT广泛应用于各类高频无线通信系统中，尤其适合作为低噪声放大器（LNA）用于接收前端，以提升系统接收灵敏度。典型应用场景包括Wi-Fi 6/6E路由器、接入点和客户端模块，在2.4 GHz和5 GHz频段下提供低噪声、高增益的信号预放大功能。此外，该器件也适用于5G通信设备中的Sub-6 GHz射频前端模块，用于增强上行链路信号质量。在物联网（IoT）领域，FMM5013MUT被用于Zigbee、Thread、Bluetooth Low Energy（BLE）等短距离无线模块中，助力构建低功耗、高可靠性的无线传感网络。
　　在消费类电子产品中，FMM5013MUT可用于智能手机、平板电脑、无线耳机和智能音箱中的射频信号调理电路，提升无线连接性能。其高线性度和低失真特性也使其适用于中频放大器或缓冲放大器，在软件定义无线电（SDR）、无线基站和卫星通信终端中发挥重要作用。此外，该器件还可用于汽车雷达系统、胎压监测系统（TPMS）和车载信息娱乐系统的无线模块中，满足车规级应用对可靠性和温度范围的要求。在工业控制和远程监控系统中，FMM5013MUT支持长距离无线数据传输，提高系统通信稳定性。得益于其宽频带响应能力，该器件也可用于测试仪器、频谱分析仪和射频测量设备中的前置放大电路，确保高精度信号采集。

FMM5013, MMBTH10, BFR92A, BFG520W, ZX7688