FMI16N60E 时间：2025/8/9 9:06:38 阅读：24

FMI16N60E是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优异的导通电阻、开关特性和热性能，适用于高效率、高频率的电源设计。FMI16N60E的额定电压为600V，最大连续漏极电流为16A，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600V
　　最大连续漏极电流（ID）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C~150°C
　　封装类型：TO-220
　　技术：平面工艺

特性

FMI16N60E具有多项优良的电气和物理特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。在高电压环境下，该MOSFET依然能保持稳定的工作状态，适用于600V的高压应用场景。其16A的最大连续漏极电流能力使其适用于中高功率的开关电源、DC-DC转换器和电机驱动电路。此外，FMI16N60E采用了高热效率的TO-220封装，有助于散热并提高器件在高负载下的稳定性。
　　FMI16N60E的快速开关特性有助于减少开关损耗，提升电源系统的整体性能。这使得它在高频开关应用中表现出色，适合用于开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制以及工业自动化设备中。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，提高了其在严苛工作环境下的可靠性。