SD600N14PCPBF是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率密度和高效率的电源系统中。这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,适用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制、照明镇流器以及工业自动化设备等应用场景。SD600N14PCPBF采用了先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,能够在高温和高电流条件下稳定运行。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):140V
最大漏极电流(ID):600A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):典型值为1.4mΩ(最大值可能为1.8mΩ)
最大功耗(PD):320W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerPak? SO-8双排封装(也可能为TO-263或其他高功率封装)
栅极阈值电压(VGS(th)):约2.5V至4.5V
最大栅极电压(VGSM):±20V
SD600N14PCPBF具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,它的低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了电源系统的整体效率。其次,采用先进的沟槽栅技术,提高了器件的电流处理能力和热稳定性。此外,SD600N14PCPBF具有优异的热阻特性,确保其在高负载条件下的可靠性。
该器件还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,适用于高频开关电源和DC-DC转换器。其高耐压能力(140V)使其在高电压应用中具备良好的安全裕度。此外,SD600N14PCPBF的封装设计优化了热管理,增强了器件的散热能力,从而延长了使用寿命。
另一个显著特点是其宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C),使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(通常为4.5V至20V),可与多种类型的驱动电路兼容,提高了设计的灵活性。
SD600N14PCPBF广泛应用于需要高效能功率开关的场合。常见应用包括开关电源(SMPS)、服务器电源、工业电源、直流-直流转换器(如Buck、Boost和Buck-Boost转换器)、电机控制电路、电池管理系统、照明镇流器、不间断电源(UPS)以及电动汽车和充电桩中的功率模块。
在电力电子系统中,该MOSFET可用于高效能DC-AC逆变器和AC-DC整流器拓扑中。在汽车电子领域,它适用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器以及电动助力转向系统等关键模块。此外,在可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)中,SD600N14PCPBF也可作为核心功率开关器件使用。
STP600N14FP | IPP600N14FC3 | IPU60R1K4P7S | SiR144DP