时间：2025/8/9 7:15:47
阅读：30
FMI05N60E是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件由先进的高压工艺制造，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于各类高效率电源设计。FMI05N60E通常采用TO-220或DPAK等封装形式，便于在各种电路中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：5A（常温）
导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω（最大1.5Ω）
栅极电压(Vgs)：±20V
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
功率耗散(Pd)：50W
封装形式：TO-220、DPAK（依制造商而异）
FMI05N60E MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具备优异的开关特性和低导通损耗。其高耐压特性使其适用于多种高压电源应用，如AC-DC转换器、开关电源（SMPS）、LED驱动电源和电机控制电路。该器件的低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，FMI05N60E具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其栅极结构设计优化，减少了开关过程中的能量损耗，提高了整体能效。器件内部还集成了快速恢复二极管，有助于减少反向恢复损耗，提升系统的动态响应能力。
FMI05N60E主要应用于各类高压电源系统，包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、LED照明驱动电源、电机控制电路以及家用电器中的电源模块。在工业自动化、消费电子、通信设备和电源适配器等领域，FMI05N60E都有广泛的应用场景。
FQP5N60、2SK2143、STP5NK60Z、IRF840、FQA5N60C
