AP09T10GH-HF 时间：2025/12/27 7:13:11 阅读：11

AP09T10GH-HF是一款由APOWER（劲力士）半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极技术制造，专为高效率开关电源应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点，适用于各类高频DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源以及电机控制等功率转换场景。其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和可靠性，适合在紧凑型电源设计中使用。器件符合RoHS环保要求，并带有-HF后缀表示为无铅（Lead-Free）版本，适用于现代绿色电子产品制造。
　　AP09T10GH-HF的最大漏源电压（V_DS）为100V，连续漏极电流（I_D）可达9A，脉冲电流能力更高，能够满足中等功率等级的应用需求。该MOSFET在栅源电压（V_GS）为10V时表现出较低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统整体能效。此外，该器件还具备较强的雪崩能量耐受能力和优秀的dv/dt抗扰度，增强了在恶劣工作环境下的稳定性和耐用性。由于其优异的电气特性与成本效益，AP09T10GH-HF已成为许多工业电源和消费类电子设备中的常用功率开关元件之一。

参数

型号：AP09T10GH-HF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压（V_DS）：100 V
　　最大栅源电压（V_GS）：±20 V
　　连续漏极电流（I_D）：9 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：36 A
　　导通电阻（R_DS(on)）：≤ 0.11 Ω @ V_GS = 10 V
　　导通电阻（R_DS(on)）：≤ 0.14 Ω @ V_GS = 4.5 V
　　阈值电压（V_GS(th)）：1.0 ~ 2.5 V
　　输入电容（C_iss）：850 pF @ V_DS = 50 V
　　输出电容（C_oss）：280 pF @ V_DS = 50 V
　　反向恢复时间（t_rr）：35 ns
　　最大功耗（P_D）：50 W
　　工作结温范围（T_J）：-55 ~ +150 ℃
　　存储温度范围（T_stg）：-55 ~ +150 ℃

特性

AP09T10GH-HF采用高性能沟槽栅极工艺制造，具备出色的导通特性和开关响应能力。其核心优势在于低导通电阻，在V_GS=10V条件下R_DS(on)不超过110mΩ，显著降低了大电流条件下的导通损耗，提升了电源系统的转换效率。同时，在V_GS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（≤140mΩ），说明其具备良好的低压驱动兼容性，适用于宽范围输入电压的同步整流或PWM控制电路。该器件的阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了可靠的开启控制，避免误触发问题。
　　该MOSFET具有优良的电容特性，输入电容约为850pF，输出电容约280pF，在高频开关应用中可减少驱动损耗并提升动态响应速度。其反向恢复时间短（典型值35ns），有利于减少体二极管反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰，提升系统EMI性能。此外，器件具备较强的雪崩击穿耐受能力，能够在瞬态过压情况下保护自身及周边电路，延长使用寿命。
　　TO-252封装提供了良好的热传导路径，允许通过PCB铜箔或散热片有效散热，最大功耗可达50W，适应较高环境温度下的长期运行。该器件还具备高dv/dt抗扰能力，防止因快速电压变化引发的误导通现象，提高系统稳定性。综合来看，AP09T10GH-HF在性能、可靠性与性价比之间实现了良好平衡，是中小功率开关电源中理想的功率开关选择。

应用

AP09T10GH-HF广泛应用于多种中低功率电力电子系统中。常见于AC-DC开关电源适配器、手机充电器、笔记本电源模块等消费类电子产品中，作为主开关管或同步整流管使用，发挥其低导通损耗和高效率的优势。在LED恒流驱动电源中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或反激式（Flyback）拓扑结构中的功率开关，实现稳定的电流输出和高效的能量转换。
　　此外，该MOSFET也适用于DC-DC变换器，如Buck、Boost、Buck-Boost等拓扑，尤其适合工作频率较高的应用场景，因其快速开关特性和低寄生参数有助于减小磁性元件体积，提升功率密度。在工业控制领域，AP09T10GH-HF可用于电机驱动电路、继电器驱动模块或逆变器中的低端开关，提供可靠的通断控制。
　　由于其具备一定的浪涌电流承受能力和高温稳定性，也可用于太阳能微逆变器、小型UPS不间断电源、电动工具电池管理系统等对可靠性要求较高的场合。总之，只要涉及100V以下电压等级、几安培电流水平的开关操作，AP09T10GH-HF均是一个成熟且经济的解决方案选项。