时间：2025/8/9 14:11:02
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FMH23N50ES 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用第三代硅技术制造。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具有低导通电阻和优良的热性能。FMH23N50ES 属于N沟道增强型MOSFET，其额定电压为500V，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：23A
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω
功率耗散(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
晶体管配置：单管
FMH23N50ES 具备多项关键性能优势，首先是其低导通电阻（Rds(on)）为0.21Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
其次，该器件的最大漏源电压（Vds）为500V，使其适用于高电压环境下的功率转换应用。
此外，其最大漏极电流（Id）为23A，能够支持较大的负载电流，适用于高功率需求的设备。
该MOSFET采用了先进的硅技术和优化的封装设计，具备良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。
FMH23N50ES 还具有较高的栅极阈值电压稳定性，确保在复杂电磁环境下仍能可靠地控制导通和关断操作。
TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和维护，提高了整体系统的可靠性。
此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和高耐久性，适用于需要高可靠性和长寿命的应用场景。
FMH23N50ES 通常应用于高功率电源转换器，如开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器等，以实现高效能的电能转换。
在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可用于驱动直流电机和步进电机，提供稳定可靠的功率输出。
由于其高电压和大电流能力，FMH23N50ES 也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率控制模块。
此外，该器件还可用于高频焊接设备、电焊机和电镀电源等高功率电子设备中。
在电动汽车和充电基础设施中，该MOSFET可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电机控制器等关键部件。
消费类电子产品如高端音响设备和LED照明系统中，FMH23N50ES 也可作为高效功率开关使用，提升系统整体能效。
STP23N50M5, FQA24N50, IRFP460LCSTRL
