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IDT75K712AS157BN 发布时间 时间:2025/7/22 0:04:31 查看 阅读:11

IDT75K712AS157BN 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速同步静态随机存取存储器(SRAM)控制器芯片。该芯片主要用于管理高速SRAM的操作,支持同步读写控制,并提供高效的数据传输性能。该器件广泛应用于需要高速缓存和实时数据处理的系统中,如网络设备、工业控制、通信模块以及高性能嵌入式系统。

参数

类型:SRAM控制器
  封装类型:TQFP
  引脚数量:100
  工作电压:3.3V
  最大工作频率:157 MHz
  接口类型:并行
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  时钟类型:同步
  读写控制支持:是
  数据总线宽度:16位
  地址总线宽度:19位
  封装尺寸:14x14 mm

特性

IDT75K712AS157BN 具备多项高性能特性,使其在高速存储系统中表现出色。首先,该芯片支持高达157MHz的工作频率,确保了与高速SRAM芯片的兼容性和稳定运行,从而满足对数据访问速度有高要求的应用场景。其16位数据总线和19位地址总线的设计,支持最大512KB的SRAM寻址空间,提供了灵活的存储扩展能力。
  此外,该控制器采用同步时钟控制机制,确保读写操作与系统时钟保持一致,提高系统的稳定性和效率。IDT75K712AS157BN 内部集成了地址锁存、读写控制逻辑以及等待状态生成等功能,降低了外部电路设计的复杂性,提升了系统集成度。
  该芯片的100引脚TQFP封装形式,不仅保证了良好的电气性能,也适合高密度PCB布局。其工作电压为3.3V,符合主流嵌入式系统的电源标准,同时具备较强的抗干扰能力和稳定性,适用于工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),可在复杂环境下可靠运行。
  在系统设计方面,IDT75K712AS157BN 支持多种SRAM访问模式,包括字节使能控制、突发模式访问以及可编程等待状态设置,使得用户可以根据不同的应用需求进行灵活配置。

应用

IDT75K712AS157BN 常用于需要高速缓存管理的系统中。典型应用包括通信设备中的数据缓存控制、工业自动化系统中的实时数据处理单元、高性能嵌入式系统的本地存储管理模块、以及测试测量设备中的临时数据存储系统。由于其支持工业级温度范围和高可靠性设计,该芯片也适用于环境要求较高的工业和通信领域。
  在通信系统中,该芯片可作为高速缓存控制器,管理网络数据包的快速存取,提高系统响应速度。在嵌入式控制系统中,它能够有效协调处理器与外部SRAM之间的数据交换,提升整体系统性能。此外,该芯片还可用于图像处理、视频缓存控制等对数据吞吐量有较高要求的场合。

替代型号

IDT75K712AS166BN, CY7C1311BV, IDT75K72108AS166B

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