FMH21N50ES 时间：2025/8/9 16:38:07 阅读：30

FMH21N50ES 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于如电源适配器、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。FMH21N50ES 采用 TO-220F 封装形式，具备良好的热性能和可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：21A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.25Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

FMH21N50ES 功率 MOSFET 具备一系列优异的电气和热性能，使其在多种电源管理应用中表现出色。其最大漏源电压为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的开关电路。最大漏极电流可达 21A，支持较大的负载能力，适用于需要高电流输出的场合。导通电阻 RDS(on) 的最大值为 0.25Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　该器件的栅极阈值电压范围为 2V ~ 4V，确保在不同的控制电路中都能稳定工作。TO-220F 封装提供了良好的散热性能，适合在高温环境下使用，并具备较强的机械稳定性和可靠性。FMH21N50ES 还具有较低的输入电容和输出电容，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。此外，该器件具有良好的雪崩能量耐受能力，提高了在异常工作条件下的稳定性与安全性。

应用

FMH21N50ES 广泛应用于各种电力电子设备中，例如电源适配器、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的负载开关。由于其高电压和高电流的能力，也适用于太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路等应用。在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥结构，实现高效的电机控制。此外，其良好的热性能和可靠性使其适合在紧凑型设计和高温环境下使用。