时间：2025/8/9 13:50:21
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FMH20N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率和高效率的功率转换应用。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻和高开关性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种开关电源设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：20A
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（典型值）
功率耗散：160W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
FMH20N50E具有优异的热稳定性和可靠性，能够在高频率下工作，适用于各种高功率应用。该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗并提高效率。此外，其高耐压特性使其在高输入电压应用中表现出色，例如在AC-DC转换器中。由于其快速开关能力，FMH20N50E还可用于高频DC-DC变换器，以实现更高的功率密度和更小的电路体积。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。此外，FMH20N50E的封装形式（TO-220）便于散热设计，适用于需要高功率处理能力的电路系统。
该器件广泛应用于各类电源设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动电路、UPS系统、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，FMH20N50E也适用于家电中的功率调节电路，如电磁炉、变频空调等。
FQA20N50C, 20N50, FDP20N50
