FMH10N80E 时间：2025/8/9 12:39:40 阅读：30

FMH10N80E是一款由Famatech公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛用于高功率应用场合。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于电源转换器、马达控制、电池管理系统以及其他需要高效能开关性能的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：800V
　　最大漏极电流(ID)：10A（常温下）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.72Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
　　最大功耗(PD)：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FMH10N80E具备多项高性能特性，使其在多种功率应用中表现卓越。首先，其高耐压能力达到800V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和高能效转换器设计。其次，低导通电阻确保在导通状态下损耗较小，提高整体系统效率。此外，该器件的热稳定性优异，能够在高温环境下稳定工作，延长设备的使用寿命。内置的快速恢复二极管也有助于减少反向恢复时间，提升开关性能。最后，其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适合高功率密度设计。
　　在开关性能方面，FMH10N80E展现出快速的导通与关断响应，适用于高频开关应用。栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平进行控制，简化了驱动电路设计。同时，该MOSFET具备较强的抗过载能力，在瞬态过载情况下仍能保持稳定工作。这些特性使其成为工业电源、LED驱动器、DC-AC逆变器等应用中的理想选择。

应用

FMH10N80E广泛应用于各类高功率电子设备中，包括开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电动工具控制器、电池管理系统(BMS)、逆变器和马达驱动器等。此外，它还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、电焊机电源模块以及各类工业自动化设备中的功率控制电路。由于其优异的热稳定性和高耐压特性，该器件也适用于高温和高压环境下的电子系统设计。