时间：2025/8/9 16:05:50
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FMH07N90G是一款高压、大电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：7A
导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（典型值，具体取决于测试条件）
功率耗散（PD）：100W（最大值，Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220或TO-3P等
FMH07N90G具有多个关键性能特点。首先，其高耐压能力（900V）使其适用于高电压电源系统，如工业电源和高功率LED驱动器。其次，该MOSFET的低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于散热条件较差的应用场景。
另外，FMH07N90G的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V至+20V驱动电压，便于与各种驱动电路匹配。该器件的封装形式（如TO-220或TO-3P）设计有助于良好的散热性能，提升整体可靠性。此外，该MOSFET具备良好的短路耐受能力，适合用于电机驱动和电源保护系统中。
FMH07N90G广泛应用于各种高电压、大电流的功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、高功率LED驱动器、DC-DC转换器、电机控制电路、工业自动化设备、电源适配器以及UPS（不间断电源）系统。此外，该器件也可用于逆变器和变频器等电力电子设备中，以实现高效的能量转换和稳定的功率输出。
TK9A50D, 2SK2545, FQA7N90C
