时间：2025/9/14 6:50:54
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PDTB113EQAZ是一款由Diodes公司生产的双极性晶体管（BJT）阵列，专为高频率、低噪声放大器应用而设计。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管，适合用于射频（RF）和模拟信号处理电路中。PDTB113EQAZ采用小型化的TSSOP封装，具有优异的高频性能和热稳定性，适用于无线通信、音频放大、传感器接口等多种电子系统。其高增益带宽积和低噪声系数使其成为低噪声放大器（LNA）和前置放大器的理想选择。
晶体管类型：NPN
数量：2（双晶体管阵列）
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
最大功耗（Pd）：300mW
过渡频率（fT）：100MHz
电流增益带宽积（fT）：100MHz
直流电流增益（hFE）：110-800（根据电流条件）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSSOP
PDTB113EQAZ的特性包括高频率响应和低噪声性能，适用于射频和高精度模拟信号处理。每个晶体管具有独立的引脚排列，便于在电路中灵活使用。其高增益带宽积确保在高频条件下仍能保持良好的放大性能。该器件的低噪声系数使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）和前置放大器设计。PDTB113EQAZ的热稳定性设计有助于提高在高负载条件下的可靠性。此外，该晶体管的hFE值范围较宽，允许用户根据具体应用选择适当的偏置点。TSSOP封装不仅节省空间，还提高了热管理和电气性能，使其适用于现代高密度PCB布局。
PDTB113EQAZ广泛应用于无线通信系统中的射频放大器、前置放大器、音频放大电路、传感器信号调理电路以及各种低噪声放大器设计。其高频率性能使其适用于射频前端模块、无线基站、便携式通信设备和测试仪器。此外，该器件也可用于模拟信号处理、混合信号电路和需要高增益和低噪声的电子系统。
PDTB113EQAR, PDTB113EEA, PDTB113Y, BC847BS
