FMH06N80E 时间：2025/8/9 12:20:34 阅读：27

FMH06N80E是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于高电压、高频率的开关应用中。这款MOSFET具备高耐压和低导通电阻的特性，使其在电源转换、电机控制和LED驱动等领域表现优异。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：800V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：6A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：50W

特性

FMH06N80E的主要特性包括高击穿电压和低导通电阻，这使其在高压应用中能够有效减少功率损耗并提高效率。
　　此外，该器件采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于严苛的工作环境。
　　该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够满足高功率需求。
　　由于其高栅极输入阻抗，FMH06N80E在驱动时消耗的功率极低，从而简化了驱动电路的设计。
　　另外，该器件具有较快的开关速度，适合高频开关应用，有助于减小外围电路的体积并提高整体系统效率。

应用

FMH06N80E广泛应用于各种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制电路、逆变器以及工业自动化控制系统等。
　　其高耐压特性也使其成为高压直流电源转换器的理想选择。
　　此外，该MOSFET可用于高频变换器和功率因数校正（PFC）电路中，以提高系统的能效和稳定性。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电设备中，FMH06N80E也常常被使用。
　　该器件还可用于家电产品中的电机驱动控制，例如变频空调和洗衣机等。