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FMG5A 发布时间 时间:2025/5/26 17:30:29 查看 阅读:22

FMG5A是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
  FMG5A属于N沟道增强型MOSFET,其主要功能是通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其高效的电能转换能力和高可靠性,FMG5A在现代电子设备中得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:5A
  栅极阈值电压:2V~4V
  导通电阻:15mΩ(典型值)
  开关速度:纳秒级
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持优异性能。
  4. 紧凑的封装设计,有助于节省PCB空间。
  5. 高可靠性和长寿命,适用于各种严苛的工作条件。

应用

FMG5A常用于以下领域:
  1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率开关。
  3. DC-DC转换器的核心元件。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 各种需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

IRF540N
  FDP55N06L
  STP55NF06

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FMG5A参数

  • 典型电阻比0.2
  • 典型输入电阻器10 k
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.6mm
  • 封装类型SMT
  • 尺寸2.9 x 1.6 x 1.1mm
  • 引脚数目5
  • 晶体管类型NPN
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大连续集电极电流100 mA
  • 最小直流电流增益68
  • 最高工作温度+150 °C
  • 配置共发射极、双
  • 长度2.9mm
  • 高度1.1mm