FMG36S 时间：2025/12/29 13:39:36 阅读：8

FMG36S 是一款由 IXYS 公司制造的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件属于 N 沟道增强型场效应晶体管，具备较高的导通性能和较低的导通电阻。FMG36S 特别适用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统，如电源管理、逆变器、电机驱动和工业自动化设备。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏极电流（ID）：36A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：90nC
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

FMG36S MOSFET 采用了先进的平面工艺技术，具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。FMG36S 还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不会出现性能下降。该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路配合使用，简化了设计复杂度。
　　该器件的封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，便于安装和散热管理。此外，FMG36S 在设计上考虑了高可靠性，适用于工业级和汽车电子应用。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使其能够在恶劣环境中正常运行。

应用

FMG36S 广泛应用于各种高功率开关系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制设备。由于其高耐压能力和较大的导通电流能力，FMG36S 也非常适合用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等新能源领域设备中。此外，该器件还可用于高频电源转换系统，如高频加热设备和感应加热系统。
　　在电动汽车和充电设备中，FMG36S 可用于电池管理系统中的功率控制部分。其高可靠性和热稳定性也使其成为航空航天、医疗设备和测试仪器等高要求领域的理想选择。