类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：6A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：50W
　　漏源击穿电压(BVdss)：500V
　　栅极电荷(Qg)：典型值为16nC
　　输入电容(Ciss)：典型值为620pF

FMD06N50G 具备多项优异的电气和物理特性，使其在中高压功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压电源系统，如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，FMD06N50G 采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和提高电路板空间利用率。该封装形式还具有较强的机械强度和良好的热稳定性。
　　在开关特性方面，FMD06N50G 具有较快的开关速度和较低的栅极电荷（Qg为16nC），有利于减少开关损耗，适用于高频开关应用。其输入电容（Ciss）较低，也有助于提升高频响应能力。
　　该器件还具备较高的热阻性能和良好的抗过载能力，在高温环境下仍能稳定工作，提高了系统的可靠性和使用寿命。

FMD06N50G 主要应用于各类中高压功率转换系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制模块、LED驱动电源、工业自动化设备以及家电控制系统等。其优良的导通和开关性能使其成为高效能电源设计的理想选择。
　　在开关电源中，FMD06N50G 常用于主开关或同步整流电路，实现高效率的能量转换。在电机控制和驱动电路中，它可用于H桥结构中的上下桥臂开关，提供快速响应和稳定的负载控制。此外，该MOSFET也适用于LED照明中的恒流驱动电路，帮助实现高亮度、低功耗的照明系统。
　　由于其良好的热稳定性和封装设计，FMD06N50G 在紧凑型电源设计中尤为受欢迎，能够满足现代电子产品对小型化、高可靠性和高效率的多重需求。

FQP6N50C, IRF640N, STF7NM50N, 2SK2545