类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：450V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

FMD04N45G具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种应用场景中表现出色。
　　首先，其高耐压能力（450V漏源电压）使其适用于中高压电源系统，例如开关电源、AC-DC转换器和高压电机控制应用。该器件的栅源电压为±20V，具有较高的栅极耐压能力，有助于提升系统稳定性。
　　其次，FMD04N45G的导通电阻较低（最大2.5Ω），在4A的连续漏极电流下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统的能效。这对于需要长时间运行的设备，如不间断电源（UPS）或太阳能逆变器，尤为重要。
　　此外，该MOSFET采用标准TO-220或TO-252封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适合焊接在PCB上并易于散热。其工作温度范围从-55°C到150°C，适用于工业级和部分车载环境。
　　最后，FMD04N45G具有快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频PWM控制电路，如LED驱动、DC-DC升压/降压模块等。

FMD04N45G广泛应用于各类中高压功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于构建开关电源、AC-DC和DC-DC转换器，为各种电子设备提供稳定高效的电压转换方案。
　　在工业自动化和电机控制方面，该器件可用于驱动小型电机、电磁阀和继电器，尤其适用于需要高频开关和高效能控制的场合。
　　此外，FMD04N45G也适用于电池管理系统，例如电动工具、电动自行车和储能系统的充电/放电控制电路，其低导通电阻和高耐压特性可有效提高系统效率并延长电池寿命。
　　该MOSFET还可用于LED照明驱动、功率放大器、电源开关和智能电表等消费及工业电子设备中，提供可靠的功率控制能力。

FQP4N45C, 2SK2545, IRF740, 2N60