FMC12N60ES 时间：2025/8/9 12:36:07 阅读：18

FMC12N60ES 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、马达控制和负载开关等场景。该器件采用 TO-220 封装，具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性。FMC12N60ES 设计用于在高频率和高效率条件下运行，适合需要高功率密度的设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：12A（在 100°C 时）
　　工作温度：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：83W
　　封装形式：TO-220

特性

FMC12N60ES MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，该器件的漏源耐压高达 600V，使其适用于高电压开关应用，例如离线式开关电源（Off-line SMPS）和 PFC（功率因数校正）电路。
　　其次，FMC12N60ES 的导通电阻 RDS(on) 最大为 0.42Ω，这一低值有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频操作场景。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能，能够在较高环境温度下稳定运行。此外，其封装设计也便于安装散热片，以进一步提高热管理能力。
　　另外，FMC12N60ES 支持宽范围的栅极驱动电压，通常在 10V 至 20V 之间工作，确保了良好的导通性能，同时避免了过高的栅极应力。该器件还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在高压瞬态条件下的可靠性。

应用

FMC12N60ES 适用于多种功率电子系统，尤其是在需要高耐压和中等电流能力的应用中表现突出。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、电池充电器、照明镇流器、DC-DC 转换器以及工业电机驱动系统。
　　在开关电源设计中，FMC12N60ES 可用于主开关晶体管或同步整流器，以提高转换效率并减少发热。其低导通电阻和高开关速度特性使其在高频变换器中尤为适用。
　　在马达控制领域，FMC12N60ES 可用于 H 桥电路中的高边或低边开关，提供可靠的电流控制能力，适用于风扇、泵和小型电动工具等应用。
　　此外，该器件还可用于负载开关、电源管理模块以及太阳能逆变器等可再生能源系统中，作为关键的功率切换元件。