FMC12N50ES 时间：2025/8/9 12:41:27 阅读：18

FMC12N50ES是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）设计和制造。该器件适用于多种电源管理和功率转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等。该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，能够在较高频率下工作，从而提高系统效率并减少热量产生。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　最大功耗（PD）：75W
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等

特性

FMC12N50ES的主要特性包括其高耐压能力和适中的导通电阻，这使其在中高功率应用中表现出色。其500V的漏源击穿电压（VDS）使其适用于多种电源拓扑结构，如反激式转换器、正激式转换器和PFC（功率因数校正）电路。此外，该MOSFET具有快速开关能力，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至15V），能够确保良好的导通性能，同时具备一定的过载和瞬态保护能力。内置的体二极管允许其在某些拓扑中作为续流二极管使用，从而减少外部元件数量。
　　FMC12N50ES采用标准TO-220或TO-252封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在工业环境和恶劣条件下使用。

应用

FMC12N50ES广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备中的负载开关。
　　在开关电源设计中，该MOSFET可用于主开关元件，特别是在反激式和正激式拓扑中，提供高效、可靠的功率转换。在电机控制应用中，它可以作为H桥电路中的开关元件，实现电机的正反转控制和调速功能。
　　此外，该器件也适用于各种消费类电子产品和工业设备中的功率管理模块，如电池充电器、LED驱动器和家用电器中的电源控制部分。